Back

ⓘ Transistor efek–medan. Cithakan:Infobox komponèn elektronik Transistor efek–medan inggih punika salah satunggaling jinis transistor ngginaakèn medan listrik kan ..




Transistor efek–medan
                                     

ⓘ Transistor efek–medan

Cithakan:Infobox komponèn elektronik Transistor efek–medan inggih punika salah satunggaling jinis transistor ngginaakèn medan listrik kanggé ngèndaliakèn konduktifitas suatu kanal saking jinis pembawa momotan tunggal ing bahan semikonduktor. FET kadang-kadang dipunsebat minangka transistor ekakutub kanggé mbèntnèakèn operasi pembawa momotan tunggal ingkang dipunlmapahi kaliyan operasi kalih pembawa momotan ing transistor dwikutub.

                                     

1. Sajarah

Transistor efek–medan dipunciptakakèn déning Julius Edgar Lilienfeld ing taun 1925 lan déning Oskar Heil ing taun 1934, nanging peranti praktis boten dipundamel kanthi masal nagntos taun 1990-an.

                                     

2. Saluran

Sdèaya FET gadhah sebuah saluran gerbang gate, cerat drain lan sumber source ingkang kintèn-kintèn sami kaliyan basis, kolektor lan emitor ing BJT. Sanèsipun JFET, sedaya FET ugi gadhah saluran kaping sèkawan ingkang dipunnamani badan, dhasar utawi substrat. Saluran kaping sèkawan punika nglayani kegunaan teknis ing pemanjaran transistor kedalam titik operasi. Terminal punika sangat jarang dipunginaakèn ing desain sirkuit, nanging keberadaanipun punika wigati ngrancang penataan sirkuit terpadu.

Asma-asma saluran ing FET mengacu ing fungsinipun. Saluran gerbang saged dipunanggep dados pengontrol buka-tutup saking gerbang sesungguhipun. Gerbang punika ngizinaken elektron kanggé ngalir utawi ncegah kaliyan ndamel lan mengikangkan sebuah kanal ing antawisipun sumber lan cerat. Elektron ngalir saking sumber nuju ing saluran cerat manawi wonten tegangan ingkang dipunparingake. Badan punika seluruh semikonduktor dhasar ing pundhi gerbang, sumber lan cerat dipunpanggenaken. Limrahipun saluran badan dipunsambungaken ing tegangan ingkang inggil utawi terendah ing sirkuit, gumantung ing tipenipun. Saluran badan lan saluran sumber limrahipun dispunambungaken amargisumber limrahipun dispunambungaken ing tegangan ingkang inggil utawi terendah saking sirkuit, nanging wonten pinten-pinten penggunaan saking FET ingkang boten kados ta makaten, kados ta sirkuit gerbang transmisi lan kaskoda.

                                     

3. Komposisi

FET saged dipundamel saking pinten-pinten semikonduktor, silikon dados ingkang paling umum. FET ing limrahipun dipundamel kaliyan prosès pembuatan semikonduktor borongan, ngginakaken lapik semikonduktor kristal tunggal minangka daerah aktif, utawi kanal. Ing antawisipun bahan badan ingkang boten lajim inggih punika amorphous silicon, polycrystalline silicon lan OFET ingkang dipundamel saking semikonduktor organik lan asring ngginakaken isolator gerbang d\lan elektrode organik. Ing moda punika, FET kanggé kados ta sebuah resistor variabel lan FET ngendika beroperasi ing moda linier utawi moda ohmik Manawi tegangan cerat-ke-sumber mundhak, punika ndamel owah-owahan wujud kanal ingkang signifikan lan taksimetrik amargi gradien tegangan saking sumber ing cerat. Wujud saking daerah pembalikan dados kurus dekat ujung cerat saking kanal. Manawi tegangan cerat-ke-sumber dipuntingkataken lajengipun, titik kurus dari kanal wiwit bergerak dari cerat menuju ke sumber. Pada keadaan ini, FET ngendika ing moda penjenuhan, pinten-pinten tiyang nyebataken moda aktif, kanggé nganalogikan kaliyan tlatah operasi transistor dwikutub.



                                     

4. Jinis-jinis transistor efek medan

Kanal ing FET sampun didoping kanggé ndamel saé semikonduktor tipe-n utawi semikonduktor tipe-p. Ing FET moda pengayaan, cerat lan sumber dipundamel bènten tipe kaliyan kanal, manawi ing FET moda pemiskinan dipundamel setipe kaliyan kanal. FET ugi dipunbentenaken dhedhasar metoda pengisolasian ing antawisipun gerbang lan kanal. Jinis-jinis dari FET ya iku:

  • JFET Junction FET, FET Pertemuan ngginakaken sambungan p-n ingkang dipanjar kawalik kanggé misahaken gerbang saking badan.
  • MOSFET Metal–Oxide–Semiconductor FET, FET Semikonduktor–Oksida–Logam ngginakaken isolator limrahipun SiO 2 ing antawisipun gerbang lan badan.
  • MESFET Metal–Semiconductor FET, FET Semikonduktor–Logam nggantos sambungan p-n ing JFET kaliyan sawar Schottky, dipun-ginakaken ing GaAs lan bahan semikonduktor sanèsipun.
                                     

5. Pranala njaba

  • Field Effect Transistors in Theory and Practice
  • Junction Field Effect Transistor
  • Winning the Battle Against Latchup in CMOS Analog Switches
  • Nanotube FETs at IBM Research
  • The Enhancement Mode MOSFET
  • CMOS gate circuitry
  • PBS The Field Effect Transistor

Cithakan:Transistor